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碳化硅陶瓷，是以SIC為基礎材料，經過2250℃高溫燒結，高度瓷化的一種0孔隙率致密體陶瓷，SIC含量≥99.3%，抗彎強度≥410Mpa，導熱系數140W/m.k，是唯一耐HF、H2SO4等強酸腐蝕的陶瓷材料。
SiC plate is a kind of 0 porosity dense body ceramics, which is based on SiC and sintered at 2250 ℃. SiC content is more than 99.6%, bending strength is more than 410mpa and thermal conductivity is 140W / M.K. it is the only ceramic material resistant to HF, H2SO4 and other strong acid corrosion。
碳化硅陶瓷的優(yōu)點：
1、熱膨脹系數小，與硅極為接近；
2、耐磨性卓越，硬度僅次于金剛石；
3、導熱系數優(yōu)良，耐高溫且散熱快；
碳化硅陶瓷的性能指標如下：
碳化硅陶瓷的優(yōu)點：
1、熱膨脹系數小，與硅極為接近；
2、耐磨性卓越，硬度僅次于金剛石；
3、導熱系數優(yōu)良，耐高溫且散熱快；
碳化硅陶瓷的性能指標如下：
| 物理性能（Physical PropertIes） | 單位 UNIT | 西安中威（ZHWE）碳化硅 |
| 碳化硅含量（Composition ：SIC） | VOL% | ≥99.3 |
| 密度20℃（Density 20℃） | g/cm3 | ≥3.10 |
| 氣孔率（Open Porosity） | VOL% | 0 |
| 洛氏硬度 | R45N | 95 |
| 維氏硬度 | kg/mm2 | 2450 |
| 抗彎強度20℃（Flexural Strength 20℃） | MPa | 320-400 |
| 抗彎強度1300℃（Flexural Strength 1300℃） | MPa | 360-410 |
| 熱膨脹系數(Coefficient of thermal ) | 10(-6)*k(-1) | 4.0 |
| 熱導率20℃(Thermal conductivity 20℃) | W.m(-1)*k(-1) | 140 |
| 熱震性能 | ||
| 最高使用溫度 | ℃ | approx.1900 |
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